不同環上硅碳棒的輻射熱損失和對流熱損失
2024-04-10 10:03:04 點擊：
對于外環硅碳棒，由于無其他硅碳棒阻擋，其直接面向反應器壁面。因此，隨著硅碳棒半徑的增大，其輻射能耗逐漸增大，且其對流熱損失也緩慢增大，見圖4。所以隨著硅碳棒半徑的增大，加熱的硅碳棒對外界的熱通量一直增大，從而導致其中心溫度逐漸增大，即溫度梯度逐漸增大,對比圖3a,31)和圖3<可知，外環硅碳棒中心溫度明顯高于內環和中環硅碳棒，而中環硅碳棒中心溫度明顯高于內環硅碳棒，這是因為外環硅碳棒輻射能耗明顯高于中環和內環硅碳棒，中環硅碳棒輻射能耗明顯高于內環硅碳棒，且中環和外環硅碳棒對流熱損失幾乎一致，均大于內環硅碳棒對流熱損失，見圖4。當硅碳棒半徑較小時，不同環上硅碳棒的輻射熱損失和對流熱損失相差不大，從而導致不同環上的硅碳棒中心溫度相差不大，如當硅碳棒半徑為1ctT，時，內、中和外環中心溫度分別為1439,1447和1452K,見圖3。隨著硅碳棒半徑的增大，不同環_L硅碳棒的輻射熱損失和對流熱損失的差仇逐漸增人(ICI4>致不I司環的硅碳棒中心溫度差依逐漸增大。如當tl棒lt.徑為4和5wn時，外環硅碳棒中心溫ItK分i為:1478,1535,1541K和1473、1572、I598k。http://www.yagpc.com/
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