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       采用表1中燒結溫度曲線D的升溫方式，對第九、十溫區進行研究，其它溫區溫度設定值不變〔所采用產品為同批生產的同種產品)，把實驗分成兩組，一組采用硅碳棒雙溫區燒結，一組采用硅碳棒單溫區燒結，兩組實驗中其它燒結條件不變，實驗結果如表名。

       從表中可以看出，采用硅碳棒單溫區燒結后，所得產品磁性能優于采用硅碳棒雙溫區燒結所得產品磁性能。大量實驗結果證明。對第九、十溫區燒結溫度稍作調整，形成硅碳棒單溫區燒結，所得產品。值明顯高于經硅碳棒雙溫區燒結后所得產品的值。

       采用硅碳棒雙溫區燒結，較之硅碳棒單溫區燒結，相當于增加了保溫時間，促使固相反應完全。使產品燒結密度增高、從而導致B,值增高但同時晶粒增大，必然帶來產品H。下降。對于一條給定的窯體，其溫區間距設置是一定的，硅碳棒的分布也是給定的，有人提出可以通過調節電窯進料速度來解決B和FI。這對共生的矛盾，但進料速度若過快，卻難以解決由此而導致的產品燒結合格率和質量下降這兩大問題。在硅碳棒雙溫區燒結前提下降低產品的燒結溫度。雖然可以適當地提高產品H值，但同時也會下降。

       采用硅碳棒單溫區燒結，能夠適當地縮短產品在高溫燒結區的保溫時間，從而達到提高II。的目的同時，若適當地提高燒結溫度。產品的B，也會提高。只要把硅碳棒單溫區燒結的高溫和次高溫調節到最佳狀態，再輔以恰當的進料速度，我們就可以最大限度地獲得材料的最佳磁性能，獲得高B‘和高H。產品，完全成為可能。而且還不會影響產品的產量和質量，曾采用硅碳棒單溫區燒結方式，用該電窯生產出Y3pBH以上各牌號產品。http://www.yagpc.com/