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       圖4為西門子反應器中內、外環硅碳棒內部徑向電流密度分布。當硅碳棒半徑達到7 cm時，在相同的反應器壁發射率條件下，由于外環硅碳棒表面輻射熱損失大，需提供的焦耳熱增多，硅碳棒軸向單位長度電壓梯度增大，從而通過硅碳棒內部的電流增大，因此位于外環硅碳棒內部電流密度要大于位于內環的硅碳棒。內、外環硅碳棒內部電流密度變化趨勢基本一致，在徑向方向上逐漸增大，這是因為硅碳棒表面溫度要低于中心溫度，溫度越低，硅的電導率越大，從而促使更多的電流趨向硅碳棒表面。

       由于外環硅碳棒與反應器壁之間的輻射換熱更為強烈，因此反應器壁發射率對外環硅碳棒的表面輻射熱損失影響更為明顯。因此，本文詳細研究了不同反應器壁發射率條件下，西門子反應器中位于外環硅碳棒的內部徑向溫度分布。當硅碳棒半徑達到7 cm時，若器壁發射率為0. 3，外環硅碳棒中心溫度約1580 K，若器壁發射率增大到0. 7，其中心溫度達到1715 K，如圖5所示。值得注意的是，硅的熔點為1687 K，超出硅的熔點，會造成硅碳棒的斷裂。反應器壁發射率越低，其反射能力越強，可將輻射其表面的大部分熱量反射回硅碳棒表面，減少硅碳棒表面輻射熱損失。因此，降低反應器壁發射率，能夠明顯改善外環硅碳棒內部溫度梯度的大小。由此可見，可選擇金、銀等低發射率材料對反應器壁進行鍍膜或對反應器壁進行適當拋光，降低其發射率，可以明顯減小硅碳棒中心與其表面的溫度梯度，從而使硅碳棒最大沉積半徑增大且不容易斷裂。http://www.yagpc.com/