提高硅碳棒的使用壽命
2023-05-20 13:35:20 點(diǎn)擊：
圖5為熱端硅碳棒晶粒表面生長(zhǎng)晶須的形貌，其成分分析結(jié)果見表1,2。數(shù)據(jù)表明，圖Sa的晶須中含有少量的碳，而圖Sh中晶須處的SiC已完全被氧化生成SiOZ，鐵為雜質(zhì)。文獻(xiàn)表明，SiC的抗氧化能力極差，任何溫度下都能被氧化而轉(zhuǎn)變成SiOZ，由于氧化過程的膨脹作用，使硅碳棒開裂。SiOZ晶須的長(zhǎng)出表明氧已經(jīng)沿開放的氣孔滲透到材料內(nèi)部，非晶態(tài)的SiOZ層結(jié)晶成方晶石，從而使在較低溫度下SiC表面形成的SiOZ保護(hù)層破裂，降低硅碳棒的使用壽命。這說明試驗(yàn)用硅碳棒氣孔率較大，消除或減少開放的氣孔有助于提高硅碳棒的使用壽命。這也是國(guó)內(nèi)外硅碳棒壽命不同的一個(gè)因素。
(1>硅碳棒用碳化硅陶瓷材料由尺寸均勻的小晶粒及部分大晶粒組成，對(duì)晶粒尺寸的統(tǒng)計(jì)分布表明，其分布滿足正態(tài)分布。
(2)加熱200h后斷口表面存在微裂紋及針狀晶須，該生長(zhǎng)物為SiC氧化后形成的SiOz。www.yagpc.com
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