硅碳棒蓄熱室氧化爐的控溫原理
2021-08-06 18:27:57 點擊：
硅碳棒蓄熱室氧化爐的溫度控制系統是由檢測K型熱電偶(直徑22 mm，外保護套采用耐高溫的316L ) , PLC(西「]子300系列)、可控硅控制器、驅動模塊以及硅碳棒組成。目標溫度可以在HM工上手動輸入，輸入值傳入PLC，成為溫控系統的目標溫度。實際溫度值為從氧化爐內采集的3支熱電偶傳感器的平均值目標溫度與實際溫度在工業控制器PLC內經過P1D計算得出調節量輸出給可控硅調節器，控制可控硅導通角，調節硅碳棒電源電壓，從而達到控制爐溫的目的。
蓄熱室氧化爐的特點是可以利用陶瓷蓄熱磚比熱容大、比表面積大、壓降小以及導熱性能好等特性。為保證陶瓷蓄熱體的穩定運行，在初次對蓄熱式氧化爐加熱或者長時間停機重新啟動時，需要從常溫開始設定蓄熱室氧化爐的加熱溫度梯度曲線。具體的溫度曲線是。一200 ℃(溫升3.3 ℃min，并在200 ℃保持2 h)、200一400 ℃(溫升5 ℃min，并在400 ℃保持2 h)、400一600 ℃(溫升10 ℃min，并在600 ℃保持2h)以及600一820 ℃(升溫30 min，并在800 ℃保持24 h )。加熱溫度梯度按照低溫烘爐、先慢后快的方式進行。
可控硅控制方式采用移相控制。因為硅碳棒間斷使用硅碳棒會使其不斷處于冷、熱交替狀態，嚴重影響其壽命，所以升溫過程中采用PID算法控制的同時，在不同的溫度區間設置不同的輸出上限，以保證輸出電壓平滑均勻，減少對控制電路和電網的負面影響。具體輸出上限梯度如表1所示。www.yagpc.com
- 上一篇：控制算法的硅碳棒性提出了更高的要求 2021-08-02
- 下一篇：支撐芯對碳素纖維硅碳棒熱慣性影響 2021-08-10