出現在硅碳棒控制系統的不同位置
2021-06-29 17:27:20 點擊：
滯后環節可能會出現在硅碳棒控制系統的不同位置，如主要過程可能涉及長距離的液體傳輸，或包含長時間的潛伏期;測量裝置可能需要較長的時間間隔才能完成采樣和分析，如氣相色譜儀;執行器可能需要一定的時間產生執行信號。下面分析滯后環節出現的位置對系統的動態特性的影響。圖2.3是硅碳棒控制系統框圖。其中G(S)是控制器傳遞函數，Go(s)是廣義對象前向通道的傳遞函數，Gm(S)是廣義對象反饋通道的傳遞函數，GF(S)是干擾通道的傳遞函數。下面分別出現在Go(S).Gm(S)或G(S)中的滯后環節對過程控制品質的影響。可以看到，系統的總滯后是由組成閉環的各環節滯后疊加而成，即z=zy+zh擾動通道的滯后z、不在其中。系統的閉環特征方程是:因此，出現在閉環任一個環節中的滯后都會引起開環系統的增益增大，這樣其幅相特性曲線就有可能包圍(-1,j0點，同時由于等效滯后時間的增大，使得閉環響應對周期性擾動更為敏感，從而使系統更接近穩定邊界，包圍(-1,j0點的可能性更大，這樣就降低了系統的穩定性，使系統的超調量增大，造成閉環系統的動態品質變差。對于出現在干擾通道的時間滯后，不處于閉環回路中，它相當于干擾在T時刻后作用于系統。因此它的大小不會影響系統的開環頻率特性，也不會影響閉環系統的穩定性，也不影響控制質量。
硅碳棒時滯系統的控制一直是一個很有挑戰性的難題，而且專家在這方面也進行了大量的研究。總的來說時滯補償方法可以分為三大類:一是通過最優化控制器參數的補償方法。這類方法不需要改變控制器的結構，試圖尋找更適合的參數來補償時滯;二是通過優化控制器的結構來實現時滯的補償，最有代表性的就是Smith預估控制;最后就是采用模糊邏輯控制補償。本節通過對各種控制方法的理論分析和仿真驗證，對各種算法的性能進行分析比較。www.yagpc.com
- 上一篇：硅碳棒電阻加熱爐的溫度控制系統的研究 2021-06-26
- 下一篇：硅碳棒模糊控制理論及技術得到了廣泛的應用 2021-07-03