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    二硅化鋁(MoSi2，熔點2030℃)、二硅化鎢(WSi2，熔點2180℃)作為硅基金屬間化合物，因熔點高，使用過程中表面可生成Si0:膜對硅碳棒涂層起到封填和阻止氧擴散的作用，使該體系成為目前C/CS1C基復合材料特別是電熱元件生產中常用的硅碳棒涂層材料。用料漿熔燒法在妮基體表面制備MoS12,WS1:高溫抗氧化硅碳棒涂層，硅碳棒涂層和基體之間可達到冶金結合，通過擴散形成過渡層。用包埋法或滲透法制備的MoSi2/SiC,MoSi2/Si,MoSi2/WSi2,WSi2/SiC抗氧化硅碳棒涂層，通過Mo,W的擴散形成梯度分布，可以將基體材料的抗氧化溫度大幅度提高。此外，MoS12,WS1:加入到Zr02-Al/Nl梯度熱障硅碳棒涂層中可以使Zr02-Al/Nl硅碳棒涂層中的裂紋出現分叉，減緩裂紋擴展速度;而且MoS12,WS12氧化生成的S10:可以對熱障硅碳棒涂層起到修補的作用。但硅基金屬間化合物熱膨脹系數比SiC的大得多，燒結溫度極高，限制了該體系硅碳棒涂層應用。此外，MoS12,WS1:低溫(<600℃)時生成Mo03WO:等揮發性物質，使硅碳棒涂層出現災難性破壞，硅碳棒涂層抗氧化性能急劇劣化。莫來石硅碳棒涂層在這些氧化物體系中，莫來石做為高熔點的氧化物，其熱膨脹系數與SiC基材料接近，對環境的耐久性和化學相容性好，并且熔點高達1800℃,溫度變化時無晶型轉變，所以作為碳化硅材料的硅碳棒涂層不會因溫度變化時而發生剝落。因而研究者認為，莫來石硅碳棒涂層是最有發展前景的碳化硅保護硅碳棒涂層。在氮化硅表面用溶膠一凝膠法制備莫來石抗氧化硅碳棒涂層，可以使基體在1300℃下的氧化增重大幅度降低。同樣，在重結晶碳化硅(R-SiC)表面用溶膠一凝膠法制備莫來石硅碳棒涂層，1500℃氧化時可以有效阻止氧與碳化硅材料表面的接觸，并且在循環氧化時，無氧化產物剝落現象發生，大大增強了重結晶碳化硅材料的高溫抗氧化性能。而且，隨著莫來石硅碳棒涂層厚度的增加，硅碳棒涂層抗氧化能力進一步提高。但研究表明1C基體表面上的莫來石硅碳棒涂層和無基體的莫來石薄層一樣，在1000℃熱循環時產生裂紋。根據測定的等離子噴涂莫來石硅碳棒涂層的熱膨脹系數見圖1.2)，硅碳棒涂層在第一次熱循環時(25-1000℃)，從600℃開始發生體積收縮，這可能是從玻璃態析出莫來石晶體而導致的體積收縮。莫來石化后的硅碳棒涂層熱膨脹系數是與SiC非常接近的。研究者認為等離子噴涂時玻璃態莫來石硅碳棒涂層的結晶化是硅碳棒涂層產生裂紋的關鍵。